|
|
Часы работы редакции:
понедельник, четверг: с 10-00 до 13-00
тел: +7(495) 939-11-96
e-mail: uzmu@physics.msu.ru
Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ
Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.
XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова
Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».
Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2013 » № 4 |
Загрузить файл: 134101.pdf ( 648 kB )
Влияние диэлектрической матрицы на диссипативный туннельный перенос в полупроводниковых квантовых точках
В.Ч. Жуковский, В.Д. Кревчик, М.Б. Семенов, Р.В. Зайцев, И.А. Егоров, П.В. Кревчик, А.К. Арынгазин, К. Ямамото
Пензенский государственный университет,440026, Пенза, ул. Красная, д.40, г.Пенза , РоссияПредложена модель 1D – диссипативного туннелирования для интерпретации особенностей туннельных ВАХ, полученных в эксперименте по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs методом комбинированной АСМ/ СТМ. Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D – диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной ВАХ контакта АСМ зонда к поверхности InAs КТ.
URL: | http://uzmu.2phys.sunmarket.com/abstract/2013/4/134101 |
PACS: | 70.00.00 CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL, MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES 73.00.00 Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films, and low-dimensional structures 73.22.-f Electronic structure of nanoscale materials and related systems 73.21.La Quantum dots |
УДК: | 539.23; 539.216.1; 537.311.322 |
Цитата: | В.Ч. Жуковский, В.Д. Кревчик, М.Б. Семенов, Р.В. Зайцев, И.А. Егоров, П.В. Кревчик, А.К. Арынгазин, К. Ямамото. Влияние диэлектрической матрицы на диссипативный туннельный перенос в полупроводниковых квантовых точках // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2013. № 4. 134101 |