Часы работы редакции:

понедельник, четверг: с 10-00 до 13-00

тел: +7(495) 939-11-96

e-mail: uzmu@physics.msu.ru


Бюллютень

Бюллетень "Новости науки" физфака МГУ

Это новое информационное издание, целью которого является донести до сотрудников, студентов и аспирантов, коллег и партнеров факультета основные достижения ученых и информацию о научных событиях в жизни университетских физиков.


Всероссийская школа-семинар Волновые Явления в Неоднородных Средах

XV Всероссийская школа-семинар "Физика и применение микроволн" имени профессора А.П. Сухорукова

Отобранные программным комитетом статьи участников школы-семинара «Волны-2015» будут направлены для публикации в журнал «Ученые записки физического факультета Московского университета».

Журналы » Ученые Записки » Выпуски » 2013 » № 4


Загрузить файл: 134101.pdf ( 648 kB )

Влияние диэлектрической матрицы на диссипативный туннельный перенос в полупроводниковых квантовых точках

В.Ч. Жуковский, В.Д. Кревчик, М.Б. Семенов, Р.В. Зайцев, И.А. Егоров, П.В. Кревчик, А.К. Арынгазин, К. Ямамото

Пензенский государственный университет,440026, Пенза, ул. Красная, д.40, г.Пенза , Россия

Предложена модель 1D – диссипативного туннелирования для интерпретации особенностей туннельных ВАХ, полученных в эксперименте по визуализации локальной плотности состояний в квантовых точках InAs/GaAs методом комбинированной АСМ/ СТМ. Найдено, что влияние двух локальных мод широкозонной матрицы на вероятность 1D – диссипативного туннелирования приводит к появлению нескольких неэквидистантных пиков в соответствующей полевой зависимости. Показано, что теоретическая зависимость качественно согласуется с экспериментальной ВАХ контакта АСМ зонда к поверхности InAs КТ.

URL: http://uzmu.2phys.sunmarket.com/abstract/2013/4/134101
PACS: 70.00.00 CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL, MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
73.00.00 Electronic structure and electrical properties of surfaces, interfaces, thin films, and low-dimensional structures
73.22.-f Electronic structure of nanoscale materials and related systems
73.21.La Quantum dots
УДК: 539.23; 539.216.1; 537.311.322
Цитата: В.Ч. Жуковский, В.Д. Кревчик, М.Б. Семенов, Р.В. Зайцев, И.А. Егоров, П.В. Кревчик, А.К. Арынгазин, К. Ямамото. Влияние диэлектрической матрицы на диссипативный туннельный перенос в полупроводниковых квантовых точках // Учен. зап. физ. фак-та Моск. ун-та. 2013. № 4. 134101